什么是Si bridge？
想象一下一座桥，它连接着两岸，让车辆或行人可以从一岸到达另一岸。在芯片的世界里，Si bridge就相当于一座微小的“桥”，它连接着芯片内部的不同层，让电子信号能够在这些层之间自由流动。
目前在3D布局中实现 Si bridge 时 需要嵌入到 对应的 Substrate 中，形成凹形布局。
想象一下一座桥，它连接着两岸，让车辆或行人可以从一岸到达另一岸。在芯片的世界里，Si bridge就相当于一座微小的“桥”，它连接着芯片内部的不同层，让电子信号能够在这些层之间自由流动。
目前在 3D 布局中，在执行对应的操作时，下嵌的器件与Substrate只是简单的重叠在一起，移开后在基板上并没有实际产生凹槽。
同时在下嵌器件时，也并未在下方 Substrate 的布线设计中体现出来下嵌器件产生的阴影。
用户在 3D 布局中可以使用任意器件在 Substrate 的交集区域内很便捷的生成/恢复凹槽 Si bridge，生成的凹槽从而会影响到系统中各个模块。
需求细节确认之后，面临的问题与挑战
在将Si Bridge下嵌到Substrate表面上时，需要考虑下嵌的深度。这个深度不仅影响Si Bridge的功能，还可能影响整个芯片的性能。因此，如何精确控制下嵌深度是一个关键问题。
用户可能需要恢复已经下嵌的Si Bridge，使其回到原来的位置。这需要一个有效的机制来识别和操作已经下嵌的Si Bridge，并确保恢复过程不会引入新的错误。
针对主要的问题和挑战给出合理的设计方案。
在3D布局中，实时显示Si Bridge的下嵌深度，用户可以通过界面直观地看到当前的下嵌状态，从而进行精确的控制。
在下嵌过程中，Si Bridge会自动吸附到Substrate的特定层，确保下嵌深度的精确控制。
在下嵌完成后，用户可以通过界面选择恢复Si Bridge，系统会自动识别并操作，确保恢复过程的准确性。
当器件下嵌时，需要用户手动向下移动器件至 Substrate 上表面的下方合适处，再点击 工具面板的下嵌挖空的操作，在对应的基板上产生一个移动后也不可恢复的凹槽。
用户在操作器件下嵌或上嵌时，可根据可变器件叠层高度自动吸附。生成凹槽后，用户把 Si bridge 移走后，则会在 substrate 上留下一个不可恢复的凹槽。
用户可以在 Substrate 的属性面板点击[恢复凹槽] ，面板跳转到 2 级面板，界面进入恢复凹槽模式，在恢复模式下，用户仅可见当前操作的器件，其他器件需要隐藏处理。
在二级面板中用户可以看到在当前器件的尺寸下，存在的凹槽列表。用户可以点击多选，确认是否恢复此凹槽。
当用户确认恢复凹槽后，点击确认返回之前的 3D 布局窗口状态，完成恢复凹槽操作。
通过以上交互流程的设计，我们确保了用户在操作器件下嵌和恢复凹槽时的便捷性和准确性。用户可以根据器件的叠层高度自动吸附，同时在恢复凹槽时能够清晰地看到可恢复的凹槽列表，从而做出明智的选择。
